IXYS IXFH26N50Q

Описание и технические характеристики IXYS IXFH26N50Q

IXFH26N50Q – это N-канальный мощный MOSFET транзистор с напряжением сток-исток 500 В и током стока 26 А. Применяется в высоковольтных импульсных источниках питания, инверторах, драйверах двигателей и других силовых электронных устройствах.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: N-channel MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 500 В
• Максимальный ток стока (I_D): 26 А (при 25°C)
• Сопротивление открытого канала (R_DS(on)): 0.23 Ом (при V_GS = 10 В)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3–5 В
• Заряд затвора (Q_g): 45 нКл (тип.)
• Корпус: TO-247
• Диод сток-исток: Встроенный (Body Diode)

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги):

• IXYS: IXFH26N50 (без "Q")
• IR (Infineon): IRFP450 (аналог, 500 В, 14 А)
• STMicroelectronics: STW26NM50 (500 В, 26 А)
• Fairchild/ON Semi: FQA26N50 (500 В, 26 А)
• Vishay: IRFP450LC (аналог с похожими параметрами)

Совместимые модели (аналоги с близкими характеристиками):

• IXFH24N50Q (24 А, 500 В)
• IXFH30N50Q (30 А, 500 В)
• IRFP460 (500 В, 20 А)
• FDP26N50 (500 В, 26 А)
• STP26NM50 (500 В, 26 А)

Если вам нужны более точные аналоги или дополнительные параметры, уточните условия применения (например, частота переключения, тепловые характеристики).