IXYS IXEN60N120D1

Описание

IXYS IXEN60N120D1 – это N-канальный IGBT-транзистор с кремниевой технологией, предназначенный для высоковольтных и высокомощных применений. Он обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для инверторов, сварочного оборудования, импульсных источников питания и электроприводов.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (1200 В)
• Большой ток коллектора (60 А)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение
• Встроенный диод обратного восстановления

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|--------------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 60 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 40 А | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | | Падение напряжения (V_CE(sat)) при 30 А | 2.2 В | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 250 нс | | Корпус | TO-247 (изолированный или неизолированный вариант) | | Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера (альтернативные обозначения)

• IXEN60N120D1 (основная модель)
• IXGN60N120D1 (аналогичный IGBT от IXYS)
• IXDN60N120D1 (версия с быстрым диодом)

Совместимые / аналогичные модели

• Infineon: IKW60N120H3, IKW40N120H3
• STMicroelectronics: STGW60H120DF, STGW40H120DF
• Fairchild (ON Semiconductor): FGH60N120SMD
• Mitsubishi: CM600DY-24A
• Fuji Electric: 2MBI100XAA120-50

Если требуется более точный аналог, необходимо учитывать параметры V_CE(sat), скорость переключения и наличие встроенного диода.

Нужна дополнительная информация?