IXYS IXBN75N170A

Описание и технические характеристики IXYS IXBN75N170A

Описание:
IXBN75N170A – это N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением (1700 В) и низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)). Разработан для применения в мощных импульсных источниках питания, инверторах, промышленных и силовых электронных системах.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|-----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1700 В | | Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 75 А (непрерывный) | | Макс. импульсный ток (I_DM) | 300 А (ограничено корпусом) | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0,075 Ом (при V_GS = 15 В) | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4,5 В (тип.) | | Макс. мощность рассеяния (P_D) | 750 Вт (при 25°C) | | Корпус | TO-264 (аналог TO-263 в усиленном исполнении) | | Диод обратного восстановления (Q_rr) | 3,5 мкКл (тип.) | | Температура хранения/работы | -55°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IXYS (Littelfuse): IXBN75N170 (аналог с аналогичными параметрами)
• Infineon: IHW75N170R6 (близкий аналог, 1700 В, 75 А)
• STMicroelectronics: STW75N170 (аналог в корпусе TO-247)
• Microsemi (Microchip): APT75GR170J (альтернатива с похожими характеристиками)

Совместимые модели (более доступные варианты):

• IXYS IXFH75N170 (аналог в другом корпусе)
• IXYS IXFN75N170 (альтернатива с улучшенными динамическими характеристиками)

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие по V_DSS, I_D, R_DS(on) и корпусу.

Нужна дополнительная информация по применению или аналогам?