IXYS IXBD4410PI

Описание IXYS IXBD4410PI

IXYS IXBD4410PI — это мощный N-канальный MOSFET транзистор с защитным диодом (встроенным обратным диодом), предназначенный для высокоэффективных ключевых приложений. Он используется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, инверторах, управлении двигателями и других силовых электронных системах.

Основные преимущества:

• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on))
• Высокая скорость переключения
• Встроенный обратный диод для защиты от обратных напряжений
• Надежная конструкция для работы в тяжелых условиях

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------|----------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 100 В | | Макс. ток стока (I_D) | 75 А (при 25°C) | | Импульсный ток стока (I_DM) | 300 А | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.011 Ом (при V_GS = 10 В) | | Предельное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт (при 25°C) | | Встроенный диод | Да (Body Diode) | | Корпус | TO-263 (D²PAK) | | Температурный диапазон | -55°C до +175°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (альтернативные парт-номера):

• IXYS IXBD4410PIA (модификация с улучшенными характеристиками)
• Infineon IPP075N10N3 (100 В, 75 А, R_DS(on) = 0.011 Ом)
• Vishay SUP75N10-18 (100 В, 75 А, R_DS(on) = 0.018 Ом)
• STMicroelectronics STP75NF10 (100 В, 75 А, R_DS(on) = 0.011 Ом)
• IRF (Infineon) IRFB4410ZPBF (100 В, 96 А, R_DS(on) = 0.013 Ом)

Совместимые модели (по характеристикам):

• Fairchild FDP75N10
• Toshiba TK75A10W
• ON Semiconductor NTMFS75N10

Примечание

При замене на аналог важно учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики, корпус (TO-263), а также условия работы (частоту переключения, температуру окружающей среды).

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять даташиты и консультироваться с производителем.