IXYS 1xtp86n20t

IXYS 1XTP86N20T - Описание и технические характеристики

Описание:
1XTP86N20T — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 200 В и током стока 86 А (при определенных условиях). Компонент предназначен для высокоэффективных импульсных преобразователей, инверторов, систем управления электродвигателями и других силовых приложений.

Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on) = 15 мОм при VGS = 10 В).
• Быстрое переключение благодаря низкому заряду затвора.
• Высокая энергоэффективность.
• Корпус TO-247, обеспечивающий хороший теплоотвод.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение (VDS) | 200 В | | Макс. ток стока (ID) | 86 А (при 25°C) | | Сопротивление (RDS(on))| 15 мОм (при VGS = 10 В) | | Напряжение затвора (VGS)| ±20 В | | Мощность рассеивания (PD)| 470 Вт | | Заряд затвора (Qg) | ~120 нКл (типовое) | | Корпус | TO-247 | | Рабочая температура | -55°C до +175°C |

Парт-номера и совместимые аналоги:

Прямые аналоги (зависит от параметров):

• IXYS IXTP86N20P (схожий MOSFET, но с другими характеристиками корпуса)
• IRFP260N (International Rectifier, 200 В, 50 А, RDS(on) = 40 мОм)
• STP80NF20 (STMicroelectronics, 200 В, 80 А, RDS(on) = 20 мОм)
• FDPF33N25 (Fairchild/ON Semi, 250 В, 33 А, RDS(on) = 85 мОм)

Рекомендуется проверять:

• Напряжение VDS (не ниже 200 В).
• Ток ID (не менее требуемого).
• RDS(on) (чем ниже, тем лучше КПД).

Примечание:
Перед заменой на аналог важно учитывать условия работы (частоту переключений, тепловой режим и нагрузку). Для точного подбора рекомендуется использовать datasheet производителя.

Если нужны дополнительные параметры или аналоги — уточните условия применения!