IGBT UM150CDY10

Описание IGBT UM150CDY10

IGBT UM150CDY10 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как:

• Преобразователи частоты (ЧП)
• Инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы
• Промышленные системы управления

Модуль обладает низкими коммутационными потерями, высокой надежностью и эффективностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) / Trench |
| Макс. напряжение VCES | 1000 В |
| Макс. ток коллектора IC | 150 А (при 25°C) |
| Импульсный ток ICM | 300 А |
| Рассеиваемая мощность | 450 Вт |
| Напряжение насыщения VCE(sat) | 2.2 В (при IC = 150 А) |
| Время включения ton | 90 нс |
| Время выключения toff | 300 нс |
| Температура перехода Tj | -40°C ... +150°C |
| Корпус | Изолированный (TO-247, модульный)|
| Диод обратного хода | Встроенный (FRD) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (совместимые модели):

• Infineon: FF150R10KT4
• Fuji Electric: 2MBI150U4A-060
• Mitsubishi: CM150DY-12NF
• SEMIKRON: SKM150GB12T4
• IXYS: IXGH150N100

Похожие по характеристикам:

• UM100CDY10 (100 А, 1000 В)
• UM200CDY10 (200 А, 1000 В)
• UM150CDY12 (150 А, 1200 В)

Примечания

1. Замена аналогами возможна с учетом электрических параметров и корпуса.
2. Охлаждение – требуется радиатор для эффективного теплоотвода.
3. Рекомендуемые драйверы – специализированные IGBT-драйверы (например, IR2110, HCPL-316J).

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос!