IGBT TO-274AA

Описание IGBT TO-274AA

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе TO-274AA – это мощный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Корпус TO-274AA (аналогичен TO-247) обеспечивает эффективный теплоотвод благодаря металлической контактной площадке и рассчитан на высокие токи и напряжения.

Основные технические характеристики

(Типовые значения, могут отличаться в зависимости от модели)

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В – 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 20 А – 100 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | До 200 А (кратковременно) | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 150 Вт – 300 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.8 В – 3 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | 30 нс – 100 нс | | Время выключения (t_off) | 100 нс – 300 нс | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0.3 – 0.7 °C/Вт |

Парт-номера популярных моделей

Некоторые распространённые IGBT в корпусе TO-274AA (TO-247):

• Infineon:
  • IKW40N120H3 (1200 В, 40 А)
  • IKW75N65EH5 (650 В, 75 А)
• STMicroelectronics:
  • STGW40H120DF2 (1200 В, 40 А)
  • STGP30H60DF (600 В, 30 А)
• Fuji Electric:
  • 2MBI100VA-120-50 (1200 В, 100 А)
• ON Semiconductor:
  • NGTB40N120FL3WG (1200 В, 40 А)

Совместимые модели и аналоги

Аналоги могут отличаться по параметрам, но подходят для замены в ряде схем:

• IRG4PH50U (International Rectifier, 1200 В, 45 А)
• HGTG20N120BND (Fairchild, 1200 В, 20 А)
• IXGH48N60B3 (IXYS, 600 В, 48 А)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Электроприводы и системы управления двигателями

Перед заменой рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров!