IGBT TO-263-1/3

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT TO-263-1/3
Описание IGBT в корпусе TO-263-1/3 (D²PAK)
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе TO-263-1/3 (D²PAK) — это мощный полупроводниковый прибор, сочетающий преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Корпус TO-263-1/3 является уменьшенной версией стандартного TO-263 (D²PAK) и предназначен для поверхностного монтажа (SMD) с улучшенным теплоотводом через контактную площадку на плате.
Основные области применения:
- Импульсные источники питания
- Инверторы и драйверы двигателей
- Преобразователи частоты (ЧРП)
- Управление электропитанием (UPS, сварочные аппараты)
Технические характеристики (обобщённые для IGBT TO-263-1/3)
| Параметр | Значение | |---------------------------|---------------------------------------| | Корпус | TO-263-1/3 (D²PAK, SMD) | | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В, 650 В, 1200 В (зависит от модели) | | Ток коллектора (IC) | 10 А – 100 А (при 25°C) | | Ток импульсный (ICM) | До 2×IC (кратковременно) | | Мощность рассеяния (PD) | 50–200 Вт (с радиатором) | | Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В (макс.) | | Падение напряжения (VCE(sat)) | 1.5–2.5 В (при номинальном токе) | | Время включения/выключения (ton/toff) | 20–100 нс | | Температура перехода (Tj) | -55°C до +150°C (макс.) |
Популярные парт-номера (Part Numbers) IGBT в корпусе TO-263-1/3
-
Infineon Technologies
- IRG4BC30KD (600 В, 23 А)
- IRG4PC50UD (600 В, 55 А)
- IRG4PH50UD (1200 В, 45 А)
-
STMicroelectronics
- STGP10NC60KD (600 В, 10 А)
- STGD6NC60HD (600 В, 6 А)
-
ON Semiconductor
- FGH40N60SMD (600 В, 40 А)
- NGTB40N120IHR (1200 В, 40 А)
-
Fuji Electric
- 2MBI100XAA120-50 (1200 В, 100 А, модуль с 2 IGBT)
Совместимые модели и аналоги
- IRG4BC30KD → STGP10NC60KD (аналог с близкими параметрами)
- IRG4PC50UD → FGH40N60SMD (схожие характеристики, но другой производитель)
- STGD6NC60HD → IRG4BC30KD (аналог от Infineon)
Примечание:
Перед заменой IGBT на аналог рекомендуется сверять:
- Напряжение VCES и ток IC
- Параметры затвора (VGE, Qg)
- Тепловые характеристики (RthJC)
Для точного подбора аналога используйте datasheet и кросс-референсные базы (например, Octopart, LCSC).
Если нужны параметры конкретной модели — уточните, и я предоставлю детальные данные.