IGBT TO-263-1/3

IGBT TO-263-1/3
Артикул: 300384

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT TO-263-1/3

Описание IGBT в корпусе TO-263-1/3 (D²PAK)

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе TO-263-1/3 (D²PAK) — это мощный полупроводниковый прибор, сочетающий преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Корпус TO-263-1/3 является уменьшенной версией стандартного TO-263 (D²PAK) и предназначен для поверхностного монтажа (SMD) с улучшенным теплоотводом через контактную площадку на плате.

Основные области применения:

  • Импульсные источники питания
  • Инверторы и драйверы двигателей
  • Преобразователи частоты (ЧРП)
  • Управление электропитанием (UPS, сварочные аппараты)

Технические характеристики (обобщённые для IGBT TO-263-1/3)

| Параметр | Значение | |---------------------------|---------------------------------------| | Корпус | TO-263-1/3 (D²PAK, SMD) | | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В, 650 В, 1200 В (зависит от модели) | | Ток коллектора (IC) | 10 А – 100 А (при 25°C) | | Ток импульсный (ICM) | До 2×IC (кратковременно) | | Мощность рассеяния (PD) | 50–200 Вт (с радиатором) | | Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В (макс.) | | Падение напряжения (VCE(sat)) | 1.5–2.5 В (при номинальном токе) | | Время включения/выключения (ton/toff) | 20–100 нс | | Температура перехода (Tj) | -55°C до +150°C (макс.) |


Популярные парт-номера (Part Numbers) IGBT в корпусе TO-263-1/3

  1. Infineon Technologies

    • IRG4BC30KD (600 В, 23 А)
    • IRG4PC50UD (600 В, 55 А)
    • IRG4PH50UD (1200 В, 45 А)
  2. STMicroelectronics

    • STGP10NC60KD (600 В, 10 А)
    • STGD6NC60HD (600 В, 6 А)
  3. ON Semiconductor

    • FGH40N60SMD (600 В, 40 А)
    • NGTB40N120IHR (1200 В, 40 А)
  4. Fuji Electric

    • 2MBI100XAA120-50 (1200 В, 100 А, модуль с 2 IGBT)

Совместимые модели и аналоги

  • IRG4BC30KDSTGP10NC60KD (аналог с близкими параметрами)
  • IRG4PC50UDFGH40N60SMD (схожие характеристики, но другой производитель)
  • STGD6NC60HDIRG4BC30KD (аналог от Infineon)

Примечание:

Перед заменой IGBT на аналог рекомендуется сверять:

  • Напряжение VCES и ток IC
  • Параметры затвора (VGE, Qg)
  • Тепловые характеристики (RthJC)

Для точного подбора аналога используйте datasheet и кросс-референсные базы (например, Octopart, LCSC).

Если нужны параметры конкретной модели — уточните, и я предоставлю детальные данные.

Товары из этой же категории