IGBT TO247AC

Описание IGBT TO247AC

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе TO247AC – это мощный полупроводниковый прибор, сочетающий преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Применяется в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах, сварочных аппаратах и других силовых устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (до 1200 В и более)
• Большой ток коллектора (до 100 А и выше)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение и низкие динамические потери
• Встроенный антипараллельный диод (в некоторых моделях)
• Термостойкий корпус TO247AC с хорошим теплоотводом

Технические характеристики (типовые параметры)

Параметр | Значение
---|---
Корпус | TO247AC (3 вывода)
Напряжение V_CES | 600 В, 650 В, 900 В, 1200 В (в зависимости от модели)
Ток коллектора I_C (при 25°C) | 20 А – 100 А
Ток импульсный I_CM | До 200 А (кратковременно)
Падение напряжения V_CE(sat) | 1.5 В – 2.5 В (зависит от тока)
Рассеиваемая мощность P_tot | 100–300 Вт
Температура перехода T_j | -55°C до +150°C (или +175°C)
Входная емкость C_ies | 1000–5000 пФ
Время включения/выключения (t_d(on)/t_d(off)) | 10–200 нс

Популярные парт-номера IGBT TO247AC

Производитель | Парт-номер | Характеристики
---|---|---
Infineon | IKW40N120H3 | 1200 В, 40 А, V_CE(sat) = 1,7 В
STMicroelectronics | STGW40H120DF2 | 1200 В, 40 А, с диодом
Fuji Electric | 2MBI100XAA120-50 | 1200 В, 100 А, модуль (аналог в TO247)
ON Semiconductor | FGH40T120SMD | 1200 В, 40 А, низкие потери
Toshiba | GT40QR21 | 1200 В, 40 А, быстрое переключение
IXYS | IXGH40N60C | 600 В, 40 А, NPT-технология

Совместимые модели и аналоги

Некоторые IGBT в корпусе TO247AC взаимозаменяемы при схожих параметрах. Примеры аналогов:

• IKW40N120H3 (Infineon) → STGW40H120DF2 (ST)
• FGH40T120SMD (ON Semi) → GT40QR21 (Toshiba)
• IRG4PH50UD (International Rectifier, 1200V, 55A) → HGTG20N120CND (Microsemi)

Перед заменой необходимо проверять:

• Напряжение V_CES и ток I_C
• Наличие встроенного диода
• Параметры переключения (t_d(on), t_d(off))

Применение

• Силовые инверторы и драйверы двигателей
• Сварочные аппараты
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Индукционные нагреватели

Если нужны параметры конкретной модели, уточните производителя и парт-номер!