IGBT TM200DZ-24

Описание IGBT TM200DZ-24

TM200DZ-24 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и промышленных систем управления. Модуль обладает высокой перегрузочной способностью, низкими коммутационными потерями и эффективным теплоотводом благодаря конструкции с изолированной базой.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 200 А (при 25°C)
• Импульсный ток (I_CM): до 400 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 800 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2.5 В (при I_C = 200 А)
• Время включения (t_on): 100 нс
• Время выключения (t_off): 400 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Корпус: модуль с изолированным основанием (например, SEMiX или аналогичный)

Термические параметры:

• Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)): 0.12 °C/Вт
• Тепловое сопротивление переход-среда (R_th(j-a)): 0.25 °C/Вт

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF200R12KT3, FF200R12KE3
• Mitsubishi: CM200DY-24A, CM200DU-24NF
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• Semikron: SKM200GB12T4

Совместимые модули в других корпусах:

• TM300DZ-24 (300 А, 1200 В) – для более мощных систем
• TM150DZ-24 (150 А, 1200 В) – для менее нагруженных схем

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Примечание

Перед заменой проверяйте распиновку и параметры, так как разные производители могут иметь отличия в характеристиках и конструкции.

Если нужны дополнительные данные (например, графики зависимостей или рекомендации по драйверам), уточните запрос!