IGBT TM200DZ24

Описание IGBT TM200DZ24

IGBT TM200DZ24 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, преобразователях частоты, системах управления электродвигателями и других высоковольтных/высокотоковых приложениях.

Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую температурную стабильность и встроенный обратный диод, что делает его эффективным в схемах с высокой нагрузкой.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-----------------------------------| | Тип | IGBT + диод (NPT-технология) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 200 А (при 80°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 400 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | до 1000 Вт (с теплоотводом) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.1 В (при 200 А) | | Время включения (t_on) | ~55 нс | | Время выключения (t_off) | ~320 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | от -40°C до +150°C | | Корпус | модуль с изолированной базой (например, TO-247 или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF200R12KE3, FF200R12KT3
• Mitsubishi: CM200DY-24A, CM200DY-24H
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• SEMIKRON: SKM200GB12T4
• ON Semiconductor: NGTB25N120FL2WG (для меньших токов, требует перерасчета)

Совместимые модели в схемах:

• TM300DZ24 (300 А, 1200 В)
• TM150DZ24 (150 А, 1200 В) – при сниженной нагрузке
• TM200DZ12 (200 А, 600 В) – для низковольтных применений

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров, особенно V_CES и I_C. Для высоконагруженных систем важна система охлаждения.

Нужна дополнительная информация или уточнения? Готов помочь!