IGBT TM130PZ-M

Описание IGBT TM130PZ-M

IGBT TM130PZ-M – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и других силовых электронных устройств. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой стойкостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | IGBT-модуль (NPT-технология) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 130 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 260 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 600 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 5,5 В |
| Время включения (t_on) | 45 нс |
| Время выключения (t_off) | 250 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,21 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный изолированный) |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены TM130PZ-M:

• Infineon: IKW30N120T2, IKW40N120T2
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA25N120ANTD, FGH40N120SMD
• STMicroelectronics: STGW30NC120WD, STGW40NC120WD
• Mitsubishi: CM300DY-24A
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-120

Совместимые модели в схемах:

• Для инверторов/драйверов: IRGP30B120KD (International Rectifier)
• Для сварочных аппаратов: HGTG30N120B3D (Renesas)

Примечание

При замене модуля учитывайте характеристики корпуса, параметры управления затвором и тепловые режимы. Для точного подбора аналога рекомендуется проверять datasheet производителя.

Если вам нужны дополнительные параметры или схемы подключения, уточните запрос!