IGBT TM10T3B-H

Описание IGBT TM10T3B-H

TM10T3B-H – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в электронных схемах. Этот компонент широко применяется в инверторах, импульсных источниках питания, промышленных приводах и других силовых устройствах.

Отличается низкими потерями при переключении и высокой устойчивостью к перегрузкам. Корпус TO-3P(N) обеспечивает хорошее теплоотведение, что делает этот IGBT пригодным для работы в условиях повышенных температур.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 10 А (при 25°C) | | Пиковый ток (I_CM) | 20 А | | Мощность рассеивания (P_D) | 50 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 10 А) | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Корпус | TO-3P(N) | | Рабочая температура | -55°C ... +150°C |

Совместимые модели и парт-номера

Прямые аналоги (замена без изменений схемы):

• STGW10NC60HD (STMicroelectronics)
• IRG4BC30KD (Infineon)
• FGA10N60 (Fairchild/ON Semiconductor)

Частично совместимые (требуется проверка параметров):

• HGTG10N60A4D (Renesas)
• IXGH10N60C3 (IXYS/Littelfuse)
• APT10GP60B (Microsemi)

Парт-номера в других корпусах:

• TM10T3B-F (TO-220F корпус)
• TM10T3B-S (TO-247 корпус)

Применение

• Преобразователи частоты
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Сварочные инверторы
• Системы управления двигателями

Если вам нужны более точные данные по заменам, уточните условия эксплуатации (напряжение, ток, частота переключений). Также проверяйте документацию производителя перед заменой!