IGBT TIG052TTL-E

Описание IGBT TIG052TTL-E

IGBT TIG052TTL-E – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, включая инверторы, импульсные источники питания, системы управления электродвигателями и сварочное оборудование. Этот компонент сочетает в себе высокую скорость переключения и низкие потери мощности, что делает его пригодным для высокочастотных приложений.

Корпус TO-247 обеспечивает хорошие теплоотводящие свойства, а внутренний быстродействующий диод снижает коммутационные потери в схемах с индуктивной нагрузкой.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | NPT IGBT с диодом |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 52 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 104 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 5,5 В |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Диапазон рабочих температур | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N60B3 (Microsemi)
• STGW40H60DF (STMicroelectronics)

Совместимые модели (по параметрам):

• IXGH50N60B3 (IXYS)
• APT50GF60B2DG (Microchip Technology)
• NGTB50N65FL2WG (ON Semiconductor)

Альтернативные варианты (с другими характеристиками):

• TIG055TTL-E (аналог с током 55 А)
• TIG040TTL-E (аналог с током 40 А)

Примечание

При замене IGBT TIG052TTL-E на аналог важно учитывать:

• Совпадение напряжения V_CES и тока I_C.
• Наличие/отсутствие встроенного диода.
• Параметры управления затвором (V_GE).

Рекомендуется проверять datasheet перед заменой, особенно в критичных схемах.