IGBT SP0115T2A0-12
									
			тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT SP0115T2A0-12
Описание IGBT SP0115T2A0-12
SP0115T2A0-12 – это высоковольтный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах, сварочном оборудовании и промышленных системах управления. Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери и надежность в жестких условиях эксплуатации.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |-----------------------------|-----------------------------------| | Тип транзистора | IGBT с антипараллельным диодом | | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC) | 15 А (при 25°C) | | Ток импульсный (ICM) | 30 А | | Мощность (Ptot) | до 150 Вт (с учетом охлаждения) | | Напряжение затвора (VGE) | ±20 В (рекомендуемое ±15 В) | | Падение напряжения (VCE(sat)) | ~1.8 В (при номинальном токе) | | Время включения (ton) | 50 нс | | Время выключения (toff) | 120 нс | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.5 °C/Вт | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |
Парт-номера и аналоги
Прямые аналоги (совместимые модели):
- Infineon: IKW15N120T2
 - STMicroelectronics: STGW15NC120HD
 - Fuji Electric: 2MBI15U4B-120
 - Mitsubishi: CM15DY-12S
 
Похожие по характеристикам (альтернативы):
- IRG4PH50UD (International Rectifier, 1200 В, 21 А)
 - HGTG15N120BND (ON Semiconductor, 1200 В, 15 А)
 
Применение
- Силовые инверторы
 - Сварочные аппараты
 - Управление электродвигателями
 - ИБП и солнечные инверторы
 
Примечание
Перед заменой на аналог рекомендуется проверять разводку выводов и характеристики в даташите, так как у разных производителей могут быть отличия в параметрах и корпусах.
Если вам нужна дополнительная информация (например, графики вольт-амперных характеристик), уточните!