IGBT SOP-8

Описание IGBT в корпусе SOP-8

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе SOP-8 – это компактный силовой транзистор, объединяющий преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Используется в импульсных источниках питания, инверторах, драйверах двигателей и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение (типовое) | |--------------------------|---------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В, 1200 В (в зависимости от модели) | | Ток коллектора (I_C) | 2–10 А | | Ток импульсный (I_CM) | до 20 А | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1,5–2,5 В | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 1–3 Вт | | Температура хранения/работы | -55°C … +150°C | | Тип корпуса | SOP-8 (или DIP-8 в некоторых модификациях) |

Популярные парт-номера

1. Infineon
   • IRG4BC30KD (600V, 5.5A)
   • IRG4PC50UD (600V, 23A, в DIP-8, но есть аналоги в SOP-8)
2. Fairchild/ON Semiconductor
   • FGH40N60SMD (600V, 40A, но в TO-247, аналоги в SOP-8 – FGH40N60SFT)
3. STMicroelectronics
   • STGP10NC60KD (600V, 10A)
4. Toshiba
   • GT8G131 (600V, 8A)

Совместимые модели

• N-канальные MOSFET в SOP-8 (частично совместимы по корпусу, но не по параметрам):
  • IRF7341, IRF8721
• IGBT в DIP-8 (аналоги с похожими характеристиками):
  • IRG4BC20W (600V, 4A)
  • H20R1202 (1200V, 20A, но в другом корпусе)

Примечания

1. Корпус SOP-8 имеет ограничения по теплоотводу, поэтому для высоких токов рекомендуется использовать модели с дополнительным теплоотводом или корпуса TO-220/TO-247.
2. Проверяйте datasheet – у разных производителей могут быть различия в распиновке и параметрах.

Если вам нужна конкретная модель – уточните напряжение, ток и применение.