IGBT SMM200GB128DR

Описание IGBT SMM200GB128DR

IGBT SMM200GB128DR – это силовой транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями и высокой перегрузочной способностью, что делает его подходящим для использования в:

• Промышленных инверторах
• Преобразователях частоты
• Сварочном оборудовании
• Системах управления электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT модуль (NPT-технология) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 200 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 400 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 600 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,1 В (при 200 А) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 250 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | Module (изолированный) |
| Крепление | Винтовое |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R12KT4, FF200R12KE3
• SEMIKRON: SKM200GB128D
• Mitsubishi: CM200DY-24A
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120

Парт-номера (альтернативные обозначения):

• SMM200GB128DR (оригинальный)
• SMM200GB128D (без дополнительного охлаждения)
• SMM200GB128DR-ND (версия для дистрибьюторов)

Совместимые модули (по характеристикам):

• 1200V / 200A:
  • SKM200GB12T4 (SEMIKRON)
  • CM200DY-24A (Mitsubishi)
• 1200V / 150-250A (схожие по параметрам):
  • FF150R12RT4 (Infineon)
  • 2MBI200U2A-120 (Fuji)

Примечания

• Рекомендуется проверять распиновку и конструкцию корпуса перед заменой.
• Охлаждение – модуль требует эффективного теплоотвода (радиатор + принудительное охлаждение при высоких нагрузках).
• Драйверы – для управления рекомендуется использовать специализированные драйверы IGBT (например, Infineon 1ED020I12-F2).

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!