IGBT SKM50GAL12T4

Описание IGBT модуля SKM50GAL12T4

SKM50GAL12T4 – это IGBT-модуль от компании SEMIKRON, предназначенный для использования в силовой электронике. Этот модуль объединяет в себе IGBT-транзисторы и антипараллельные диоды в одном корпусе, обеспечивая высокую эффективность и надежность в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других силовых приложениях.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|--------------| | Тип модуля | IGBT + диод (Dual) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 50 А | | Импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Мощность рассеяния (P_tot) | 200 Вт | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) | | Время включения (t_d(on)) | 35 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | SEMiX 4 (изолированный) | | Вес | ~60 г |

Парт-номера и совместимые модели

Парт-номера SEMIKRON:

• SKM50GB12T4 (аналог с другими характеристиками)
• SKM50GAR12T4 (альтернативная версия)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF50R12RT4
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• Fuji: 2MBI50N-120
• IXYS: IXGH50N120

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Системы управления двигателями
• Возобновляемая энергетика (солнечные инверторы)

Модуль SKM50GAL12T4 отличается высокой надежностью и подходит для замены в различных схемах силовой электроники. Для точного подбора аналога рекомендуется учитывать рабочие токи, напряжения и тепловые режимы.

Если нужна дополнительная информация по аналогам или схемам подключения – уточните!