IGBT SKM50AL123D

Описание IGBT модуля SKM50AL123D

SKM50AL123D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от SEMIKRON, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как:

• Преобразователи частоты
• Промышленные приводы
• Системы возобновляемой энергии (инверторы солнечных панелей, ветрогенераторов)
• Сварочное оборудование
• Импульсные источники питания

Модуль выполнен в корпусе SEMiX, обеспечивающем хорошее охлаждение и надежность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|-----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | 30 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (при 25 А) |
| Время включения (t_d(on)) | 45 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 300 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 К/Вт |
| Корпус | SEMiX 2 PressFIT |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от SEMIKRON:

• SKM50GB123D (с диодом обратного хода)
• SKM50AL123 (более старая версия)
• SKM50AL1234 (модификация с улучшенными характеристиками)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF50R12RT4
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI50L-120

Примечания по замене

При замене модуля необходимо учитывать:

• Напряжение и токовые характеристики
• Тип корпуса (SEMiX 2 PressFIT)
• Наличие встроенного диода (если требуется)

Если требуется более мощный аналог, можно рассмотреть SKM75AL123D или SKM100AL123D.

Если нужна дополнительная информация по подключению или datasheet, уточните!