IGBT SKM400GA123D

Описание IGBT модуля SKM400GA123D

SKM400GA123D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Semikron, предназначенный для высоковольтных и сильноточных приложений. Модуль выполнен в стандартном корпусе SEMiX, обеспечивающем хорошие тепловые и электрические характеристики.

Основные области применения:

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварка
• Управление электродвигателями
• Возобновляемая энергетика (инверторы солнечных панелей, ветрогенераторы)

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 400 А (при 80°C)
• Ток импульсный (I_CM): 800 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 1750 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,2 В (при I_C = 400 А)
• Время включения (t_on): 110 нс
• Время выключения (t_off): 450 нс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C

Встроенные диоды:

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Ток диода (I_F): 400 А
• Время восстановления (t_rr): 250 нс

Механические параметры:

• Корпус: SEMiX 4 Press-Fit
• Монтаж: винтовое крепление
• Вес: ~200 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Semikron:

• SKM400GB123D (аналог с улучшенными характеристиками)
• SKM400GAL123D (версия с низкими потерями)
• SKM400GA124D (1200 В, 400 А, с другими параметрами диода)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF400R12KE3
• Mitsubishi: CM400DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI400VXB-120-50
• IXYS (Littelfuse): MIXA400WB1200

Примечания по замене

При замене модуля необходимо учитывать:

1. Распиновку корпуса (SEMiX 4 Press-Fit).
2. Напряжение и токовую нагрузку.
3. Характеристики встроенного диода (если используется).

Для точного подбора аналога рекомендуется обращаться к даташитам производителей.