IGBT SKM200GB126DE

Описание IGBT модуля SKM200GB126DE

SKM200GB126DE – это двухканальный IGBT-модуль с обратным диодом, разработанный компанией Semikron. Он предназначен для высокоэффективных силовых приложений, таких как:

• Частотные преобразователи
• Инверторы и источники питания
• Промышленные приводы
• Системы возобновляемой энергетики (солнечные инверторы, ветрогенераторы)

Модуль обладает высокой перегрузочной способностью, низкими коммутационными потерями и хорошей термостабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-------------| | Тип модуля | IGBT + обратный диод (2 в 1) | | Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 200 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 400 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 780 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,9 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 55 нс | | Время выключения (t_off) | 350 нс | | Темп. хранения/эксплуатации | -40°C до +150°C | | Корпус | SEMiX 3 (изолированный) | | Вес | ~150 г |

Парт-номера и совместимые модели

Альтернативные парт-номера (Semikron):

• SKM200GB12T4 (аналог с улучшенными характеристиками)
• SKM200GB128D (схожий модуль с другим креплением)

Совместимые/аналогичные модели от других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3
• Mitsubishi: CM200DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• ON Semiconductor: NXH200B120H3Q1

Применение

Рекомендуется использовать в схемах с:

• Напряжением до 1000 В
• Токами до 200 А (с учетом охлаждения)
• Частотами коммутации до 20 кГц

Модуль требует качественного теплоотвода (радиатора) и правильного монтажа для обеспечения долговечности.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!