IGBT SKM100GB176D

Описание IGBT модуля SKM100GB176D

SKM100GB176D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от SEMIKRON, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, частотных приводов, инверторов и других силовых электронных устройств.

Модуль содержит два IGBT транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации, что делает его подходящим для инверторов и преобразователей напряжения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Ток коллектора (IC при 25°C) | 100 А |
| Ток коллектора (IC при 80°C) | 70 А |
| Импульсный ток (ICM) | 200 А |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | 370 Вт |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2,1 В (тип.) |
| Пороговое напряжение затвора (VGE(th)) | 5,5 В |
| Время включения (ton) | 65 нс |
| Время выключения (toff) | 420 нс |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,21 °C/Вт |
| Корпус | SEMiX 4 (изолированный) |
| Рабочая температура | -40…+150 °C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные модули SEMIKRON:

• SKM100GB12T4 (1200 В, 100 А, Half-Bridge)
• SKM100GB128D (1200 В, 100 А, Half-Bridge)
• SKM75GB176D (1200 В, 75 А, Half-Bridge, меньший ток)
• SKM150GB176D (1200 В, 150 А, Half-Bridge, больший ток)

Аналоги от других производителей:

• Infineon FF100R12YT4 (1200 В, 100 А, Half-Bridge)
• Mitsubishi CM100DY-24H (1200 В, 100 А, Dual IGBT)
• Fuji 2MBI100U4A-120 (1200 В, 100 А, Half-Bridge)

Применение

• Инверторы для электродвигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Солнечные инверторы

Модуль SKM100GB176D отличается высокой надежностью и эффективностью, что делает его популярным в промышленных и энергетических системах.