IGBT skm100gb12v

Описание IGBT модуля SKM100GB12V

SKM100GB12V – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Semikron, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в силовой электронике. Модуль выполнен в стандартном корпусе и содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами, что делает его пригодным для построения полумостовых схем.

Основные технические характеристики

Электрические параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Максимальный постоянный ток коллектора (I_C): 100 А (при T_c = 80°C)
• Импульсный ток коллектора (I_CM): 200 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,1 В (при I_C = 100 А, V_GE = 15 В)
• Максимальное напряжение затвор-эмиттер (V_GES): ±20 В
• Тепловое сопротивление (R_thJC): 0,25 °C/Вт (на один IGBT)
• Максимальная рабочая температура перехода (T_j): 150 °C

Диоды:

• Тип диодов: быстрые антипараллельные диоды (FRD)
• Максимальный прямой ток (I_F): 100 А
• Прямое падение напряжения (V_F): 1,7 В

Механические характеристики:

• Корпус: модульный, изолированный
• Монтаж: винтовое крепление
• Вес: ~80 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от Semikron:

• SKM100GB12T4 (более новая версия)
• SKM100GB12V4 (аналог с улучшенными характеристиками)
• SKM100GB128D (альтернатива с другим корпусом)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF100R12KT4
• Mitsubishi: CM100DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI100V-120

Применение

Модуль SKM100GB12V применяется в:

• Преобразователях частоты
• Инверторах и источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочных аппаратах
• Электроприводах и системах управления двигателями

Если нужна более точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.