IGBT SKM100GB125DE

Артикул: 299920
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT SKM100GB125DE
Описание IGBT модуля SKM100GB125DE
SKM100GB125DE – это IGBT-модуль от производителя Semikron, предназначенный для высоковольтных и сильноточных приложений, таких как:
- Преобразователи частоты (ЧРП)
- Инверторы и конвертеры
- Промышленные приводы
- Источники питания
- Системы возобновляемой энергии
Модуль выполнен в корпусе SEMiX® 2, обеспечивающем высокую надежность и эффективное охлаждение.
Технические характеристики
Основные параметры модуля:
- Тип: IGBT + диод (2 в 1)
- Конфигурация: Полумост (Half-Bridge)
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
- Номинальный ток коллектора (IC @100°C): 100 А
- Импульсный ток (ICM): 200 А
- Напряжение насыщения (VCE(sat)): 1,8 В (тип.)
- Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot): 330 Вт
Параметры встроенного диода:
- Максимальное обратное напряжение (VRRM): 1200 В
- Прямой ток (IF): 100 А
- Прямое падение напряжения (VF): 1,7 В (тип.)
Тепловые характеристики:
- Температура перехода (Tj): от -40°C до +150°C
- Термическое сопротивление переход-корпус (Rth(j-c)): 0,25 К/Вт
Механические характеристики:
- Корпус: SEMiX® 2 (изолированный)
- Монтаж: на радиатор (винтовое крепление)
- Вес: ~90 г
Парт-номера и совместимые модели
Альтернативные парт-номера Semikron:
- SKM100GB125D (аналогичный, но с другими характеристиками диода)
- SKM100GB12T4 (модуль с аналогичным напряжением, но другой ток)
Совместимые / аналогичные модели от других производителей:
- Infineon: FF100R12RT4
- Fuji Electric: 2MBI100U2A-120
- Mitsubishi: CM100DY-12H
Применение и особенности
- Высокая перегрузочная способность
- Низкие потери проводимости и переключения
- Изолированный корпус для простого монтажа
- Подходит для индукционного нагрева, сварочного оборудования и электроприводов
Если требуется более точная замена, рекомендуется проверять даташит конкретного производителя.
Нужна дополнительная информация? Готов помочь!