IGBT SKM100GAL101D

Описание и технические характеристики IGBT модуля SKM100GAL101D

Производитель: Semikron
Тип: IGBT модуль (DUAL – два IGBT в одном корпусе)
Конфигурация: Полумост (Half-Bridge)
Назначение: Преобразователи частоты, инверторы, сварочное оборудование, импульсные источники питания.

Основные технические характеристики:

Электрические параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 100 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C) при 80°C: ~70 А
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 200 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~2,1 В (при 100 А, 25°C)
• Встроенный обратный диод: Да (Fast Recovery Diode)
  • Максимальное обратное напряжение диода (V_RRM): 1200 В
  • Прямой ток диода (I_F): 100 А
• Скорость переключения:
  • Время включения (t_on): ~60 нс
  • Время выключения (t_off): ~300 нс

Тепловые параметры:

• Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)): 0,25 °C/Вт
• Максимальная температура перехода (T_j): 150°C
• Рекомендуемая рабочая температура: -40°C ... +125°C

Механические параметры:

• Корпус: SEMiX 2 (плоский, с изолированной базой)
• Монтаж: Винтовое крепление
• Вес: ~100 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Semikron:

• SKM100GB123D (аналог с улучшенными характеристиками)
• SKM100GAR123D (с другим тепловым сопротивлением)
• SKM100GAL123D (модификация с другим током)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF100R12KT4, FF100R12KE3
• Mitsubishi: CM100DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI100U4B-120
• IXYS: MIXA100PH1200

Совместимые модули в других корпусах:

• SEMiX 3: SKM150GAL123D (150 A, 1200 V)
• MiniSKiiP: SKM100MLI063 (100 A, 600 V)

Примечания:

• Модуль требует использования термопасты и радиатора для эффективного охлаждения.
• Рекомендуется проверять datasheet перед заменой, так как параметры могут незначительно отличаться.
• При замене на аналог важно учитывать токи, напряжения и тепловые характеристики.

Если нужны дополнительные данные (например, графики зависимостей или параметры диода), уточните!