IGBT SKD50-08A3

Описание IGBT модуля SKD50-08A3

SKD50-08A3 – это IGBT-модуль, разработанный для применения в мощных импульсных схемах, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочные аппараты и системы управления электроприводами. Модуль объединяет в себе высоковольтный IGBT-транзистор и быстродействующий диод в одном корпусе, обеспечивая высокую эффективность и надежность в силовой электронике.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 800 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 50 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 200 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1.7 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 45 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C … +150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный изолированный) |
| Встроенный диод | Да (FRD) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (зависит от производителя):

• Infineon: IKW50N65EH5 (600 В, 50 А, TO-247)
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA50N65SMD (650 В, 50 А)
• STMicroelectronics: STGW50NC60WD (600 В, 50 А)

Совместимые модули (схожие параметры):

• SKM50GB063D (Semikron, 600 В, 50 А)
• MG50Q1BS41 (Toshiba, 600 В, 50 А)

Примечание: Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как могут быть различия в управляющих цепях и тепловых параметрах.

Если вам нужна более точная информация о конкретных аналогах, уточните производителя или сферу применения.