IGBT SKB33/12

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT SKB33/12
Описание IGBT SKB33/12
IGBT SKB33/12 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Тип устройства | IGBT модуль (N-канальный) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (IC) | 33 А | | Ток коллектора (импульсный, ICM) | до 66 А | | Мощность рассеивания (Ptot) | ~200-300 Вт (зависит от охлаждения) | | Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | ~1,8–2,5 В (при номинальном токе) | | Время включения (ton) | ~50–100 нс | | Время выключения (toff) | ~200–400 нс | | Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247, TO-3P или аналогичный | | Встроенный диод | Да (антипараллельный) |
Парт-номера и аналоги
Оригинальные и альтернативные парт-номеры:
- SKB33/12 (оригинальный)
- IRG4PH50UD (International Rectifier)
- IXGH32N120B3 (IXYS)
- FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
- HGTG20N120BND (Microsemi)
Совместимые модели (по характеристикам):
- SKM100GB12T4 (более мощный модуль)
- CM100DY-12NF (Mitsubishi)
- FF300R12KE3 (Infineon)
Применение
- Частотные преобразователи
- Инверторы и сварочные аппараты
- Системы управления электродвигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
Примечание
Перед заменой на аналог рекомендуется сверять datasheet, так как параметры (особенно динамические и тепловые) могут отличаться.
Если вам нужны дополнительные данные (графики, схема включения), уточните!