IGBT SK50GD12T4T

Описание IGBT модуля SK50GD12T4T

SK50GD12T4T – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Semikron, предназначенный для применения в силовой электронике, таких как инверторы, частотные приводы, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями. Модуль содержит в себе IGBT-транзисторы с антипараллельными диодами, что обеспечивает эффективное управление высокими напряжениями и токами.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C) | 50 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2,1 В |
| Время включения (t_on) | ~60 нс |
| Время выключения (t_off) | ~200 нс |
| Диод обратного восстановления (t_rr) | ~100 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0,35 °C/Вт |
| Максимальная рабочая температура (T_j) | 150 °C |
| Корпус | SEMiX 4 (пружинные контакты) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от Semikron:

• SK50GB12T4 (аналог с похожими характеристиками)
• SK50GD12T4 (вариант без изменённого корпуса)
• SKM50GB12T4 (аналог в корпусе SEMiX 2)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF50R12RT4
• Mitsubishi: CM50DY-12T4
• Fuji Electric: 2MBI50U-120

Применение

• Преобразователи частоты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные инверторы
• Системы управления двигателями

Модуль SK50GD12T4T отличается высокой надёжностью и эффективностью, что делает его популярным в промышленных и энергетических приложениях.

Если нужны дополнительные параметры (например, графики вольт-амперных характеристик), уточните запрос.