IGBT SK30GAL123

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT SK30GAL123
Описание IGBT SK30GAL123
SK30GAL123 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных силовых применений. Этот компонент широко используется в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.
Ключевые особенности:
- Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES)
- Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat))
- Быстрое переключение
- Встроенный обратный диод для защиты от обратных токов
- Промышленный температурный диапазон
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC) при 25°C | 30 А | | Ток коллектора (IC) при 100°C | 15 А | | Пиковый ток (ICM) | 60 А | | Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | 2,1 В (при IC = 15 А) | | Время включения (ton) | 35 нс | | Время выключения (toff) | 110 нс | | Встроенный диод (FWD) | Да | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C |
Парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги (полные замены):
- SK30GAL123D (улучшенная версия)
- IRG4PH30UD (International Rectifier)
- FGA30N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
- H30R1202 (Infineon)
- GT30J121 (Toshiba)
Частично совместимые модели (требуется проверка параметров):
- IXGH30N120B3 (IXYS)
- NGTB30N120LWG (ON Semiconductor)
- STGW30NC120HD (STMicroelectronics)
Применение
- Инверторы и преобразователи частоты
- Сварочные аппараты
- Системы управления электродвигателями
- Импульсные блоки питания
Если вам нужна дополнительная информация по замене или специфическим применениям, уточните условия эксплуатации.