IGBT SK13GD063

Описание IGBT модуля SK13GD063

SK13GD063 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для управления высокими напряжениями и токами в силовых электронных устройствах. Модуль используется в:

• Преобразователях частоты
• Инверторах
• Промышленных приводах
• Системах возобновляемой энергетики (солнечные инверторы, ветрогенераторы)

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT с обратным диодом (DUAL) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 13 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 26 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Диод обратного восстановления (t_rr) | 75 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 1,25 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• SK13GD063 (Semikron)
• SK13GD063T (модификация с улучшенными характеристиками)

Совместимые аналоги:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA15N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG11N60A4D (Microsemi)
• STGW30H60DF (STMicroelectronics)

Примечания по замене

При замене на аналог важно учитывать:

• Напряжение и токовые характеристики
• Скорость переключения
• Тип корпуса и крепление
• Наличие встроенного обратного диода

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet конкретного производителя.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!