IGBT SIP-14

Описание IGBT модуля в корпусе SIP-14

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе SIP-14 – это компактный силовой модуль, предназначенный для управления высокими напряжениями и токами в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Корпус SIP-14 (Single In-line Package, 14 выводов) обеспечивает удобство монтажа и хорошие теплоотводящие свойства. Модуль может содержать один или несколько IGBT-транзисторов, часто в комбинации с быстрыми диодами (Flyback Diode) для защиты от обратных токов.

Технические характеристики

(Типовые параметры, точные значения зависят от конкретной модели)

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600–1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 10–100 А | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1,5–3,0 В | | Время включения (t_on) | 30–100 нс | | Время выключения (t_off) | 100–300 нс | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,5–2,0 °C/Вт |

Популярные парт-номера и аналоги

Infineon Technologies

• IKW15N60T (600V, 15A)
• IKW25N120T2 (1200V, 25A)

STMicroelectronics

• STGP10NC60KD (600V, 10A)
• STGW30NC60WD (600V, 30A)

ON Semiconductor

• FGA15N120ANTD (1200V, 15A)
• FGA25N120ANTD (1200V, 25A)

Mitsubishi Electric

• CM100DY-24H (1200V, 100A, двухканальный)

Fuji Electric

• 2MBI100U2A-060 (600V, 100A, двухключевой модуль)

Совместимые модели и аналоги

При замене IGBT в корпусе SIP-14 необходимо учитывать:

• Напряжение (V_CES) и ток (I_C)
• Скорость переключения (t_on/t_off)
• Наличие встроенного диода
• Распиновку и тепловые характеристики

Примеры замен:

• IKW15N60T (Infineon) ↔ STGP10NC60KD (STMicroelectronics)
• FGA15N120ANTD (ON Semi) ↔ CM100DY-24H (Mitsubishi, с учетом тока)

Перед заменой рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров!

Если вам нужны точные данные для конкретной модели, укажите парт-номер – помогу найти аналог.