IGBT SIP13

Описание IGBT модуля в корпусе SIP13

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) модуль в корпусе SIP13 – это компактный силовой полупроводниковый прибор, предназначенный для управления высокими напряжениями и токами в импульсных преобразователях, инверторах и других силовых электронных устройствах. Корпус SIP13 (Single In-line Package с шагом выводов ~2,54 мм) обеспечивает удобство монтажа и хорошие теплоотводящие свойства.

Технические характеристики

(Общие параметры, могут отличаться в зависимости от конкретной модели)

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | IGBT + диод (обычно) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В, 1200 В (зависит от модели) | | Ток коллектора (I_C) | 5–50 А (зависит от модели) | | Ток короткого замыкания (I_SC) | До 100 А (импульсный) | | Мощность рассеяния (P_tot) | 50–200 Вт (с радиатором) | | Температура хранения/работы | -40°C до +150°C | | Корпус | SIP13 (изолированный или нет) | | Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode в некоторых моделях) |

Популярные парт номера и аналоги

(Примеры моделей, могут отличаться в зависимости от производителя)

Infineon Technologies

• IKW15N60T (600V, 15A)
• IKW25N120T2 (1200V, 25A)

STMicroelectronics

• STGP10NC60KD (600V, 10A)
• STGW30NC60WD (600V, 30A)

ON Semiconductor (Fairchild)

• FGA15N120ANTD (1200V, 15A)
• FGL40N120AND (1200V, 40A)

Mitsubishi Electric

• CM300DY-12NF (600V, 300A, но в другом корпусе – для сравнения)

Совместимые модели и аналоги

• IRG4BC30KD (International Rectifier, 600V, 23A)
• HGTG11N120CND (Fairchild, 1200V, 11A)
• NGTB25N120IHL (ON Semi, 1200V, 25A)

Применение

• Инверторы
• Импульсные блоки питания
• Электроприводы
• Сварочное оборудование

Если вам нужны параметры конкретной модели IGBT в корпусе SIP13, уточните производителя или номер детали.