IGBT SIP13

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT SIP13
Описание IGBT модуля в корпусе SIP13
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) модуль в корпусе SIP13 – это компактный силовой полупроводниковый прибор, предназначенный для управления высокими напряжениями и токами в импульсных преобразователях, инверторах и других силовых электронных устройствах. Корпус SIP13 (Single In-line Package с шагом выводов ~2,54 мм) обеспечивает удобство монтажа и хорошие теплоотводящие свойства.
Технические характеристики
(Общие параметры, могут отличаться в зависимости от конкретной модели)
| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | IGBT + диод (обычно) | | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В, 1200 В (зависит от модели) | | Ток коллектора (IC) | 5–50 А (зависит от модели) | | Ток короткого замыкания (ISC) | До 100 А (импульсный) | | Мощность рассеяния (Ptot) | 50–200 Вт (с радиатором) | | Температура хранения/работы | -40°C до +150°C | | Корпус | SIP13 (изолированный или нет) | | Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode в некоторых моделях) |
Популярные парт номера и аналоги
(Примеры моделей, могут отличаться в зависимости от производителя)
Infineon Technologies
- IKW15N60T (600V, 15A)
- IKW25N120T2 (1200V, 25A)
STMicroelectronics
- STGP10NC60KD (600V, 10A)
- STGW30NC60WD (600V, 30A)
ON Semiconductor (Fairchild)
- FGA15N120ANTD (1200V, 15A)
- FGL40N120AND (1200V, 40A)
Mitsubishi Electric
- CM300DY-12NF (600V, 300A, но в другом корпусе – для сравнения)
Совместимые модели и аналоги
- IRG4BC30KD (International Rectifier, 600V, 23A)
- HGTG11N120CND (Fairchild, 1200V, 11A)
- NGTB25N120IHL (ON Semi, 1200V, 25A)
Применение
- Инверторы
- Импульсные блоки питания
- Электроприводы
- Сварочное оборудование
Если вам нужны параметры конкретной модели IGBT в корпусе SIP13, уточните производителя или номер детали.