IGBT SIP12

Описание IGBT SIP12

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе SIP12 – это силовой полупроводниковый прибор, сочетающий преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Корпус SIP12 (Single In-line Package с 12 выводами) обеспечивает удобство монтажа и хорошие тепловые характеристики.

Технические характеристики

• Тип корпуса: SIP12 (Single In-line Package, 12 выводов)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В, 1200 В (в зависимости от модели)
• Ток коллектора (I_C): 10–50 А
• Ток импульсный (I_CM): до 100 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 100–200 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Время включения/выключения (t_on/t_off): 50–200 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0.5–1.5 °C/Вт
• Температура эксплуатации: -40°C до +150°C

Популярные парт-номера

• Infineon: IGW50N60H3, IGW75N60T
• STMicroelectronics: STGF20NC60KD, STGP20NC60WD
• Fuji Electric: 2MBI100U2A-060
• Mitsubishi: CM600HA-24H
• ON Semiconductor: NGTB50N60FL2WG

Совместимые модели

IGBT в корпусе SIP12 могут заменяться аналогами с близкими параметрами:

• SIP12 → TO-247 (при схожих характеристиках)
• IRG4PH50UD (International Rectifier, аналог Infineon IGW50N60H3)
• HGTG20N60B3 (Fairchild → ON Semi)
• FGA25N120ANTD (Fairchild, для инверторов и драйверов)

Если вам нужен конкретный аналог или уточнение параметров, укажите область применения (инверторы, сварочные аппараты, ЧП и т. д.).