IGBT SGH80N60UFD

Описание IGBT SGH80N60UFD

SGH80N60UFD — это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) от Infineon Technologies, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (600 В).
• Большой ток коллектора (80 А при 25°C).
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)).
• Быстрое переключение и высокая эффективность.
• Встроенный ультрабыстрый диод (антипараллельный).
• Корпус TO-247, обеспечивающий хороший теплоотвод.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 80 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 40 А | | Импульсный ток (I_CM) | 160 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 330 Вт | | Падение напряжения V_CE(sat) | 1,7 В (при I_C = 40 А) | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Время включения (t_on) | 24 нс | | Время выключения (t_off) | 110 нс | | Встроенный диод | Да (Fast Recovery Epitaxial Diode) | | Корпус | TO-247 |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PC50UD (International Rectifier, 600V, 70A)
• FGA60N65SMD (Fairchild/ON Semi, 650V, 60A)
• STGW80H65DFB (STMicroelectronics, 650V, 80A)
• IXGH80N60B3D1 (IXYS, 600V, 80A)

Парт-номера Infineon:

• SGH80N60UFD^† (базовая модель)
• SGH80N60UFD^‡ (модификации с улучшенными характеристиками)

Примечание:

• Для точной замены необходимо учитывать рабочие токи, напряжения и тепловые параметры.
• Рекомендуется проверять даташиты перед заменой.

Если требуется более точная замена или информация о других аналогах, уточните условия эксплуатации.