IGBT sgh15n60rufd

Описание IGBT SGH15N60RUFD

SGH15N60RUFD — это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом в корпусе TO-247, разработанный для высокоэффективных импульсных преобразователей и силовых приложений. Обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его пригодным для инверторов, сварочных аппаратов, импульсных источников питания и электроприводов.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 30 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 60 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,65 В (при I_C = 15 А) |
| Энергия включения/выключения (E_on/E_off) | 0,45 мДж / 0,25 мДж |
| Встроенный ультрабыстрый диод | Да (обратное напряжение 600 В) |
| Тепловое сопротивление (R_θJC) | 0,75 °C/Вт |
| Максимальная температура перехода (T_j) | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (по характеристикам и корпусу):

• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semi)
• HGTG20N60A4D (STMicroelectronics)
• IXGH30N60B3D1 (IXYS/Littelfuse)

Аналоги с близкими параметрами (возможна замена с проверкой схемы):

• SGH30N60RUF (аналог с бóльшим током)
• IRGP4063DPBF (Infineon)
• APT50GR60J (Microsemi)

Примечания по замене

При выборе аналога учитывайте:

• Напряжение V_CES (не ниже 600 В).
• Ток I_C (рекомендуется ≥15 А при 100°C).
• Наличие встроенного диода.
• Параметры E_on/E_off для высокочастотных схем.

Если требуется повышенная надежность, лучше выбирать оригинальные модели от STMicroelectronics или Infineon с аналогичными характеристиками.

Нужна дополнительная информация по конкретному применению? Уточните условия работы (например, частота переключения, нагрузка), и я подберу оптимальный вариант!