IGBT SD453N16S20

Описание IGBT SD453N16S20

SD453N16S20 – это изолированный модуль IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным диодом, предназначенный для высоковольтных и сильноточных приложений. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой перегрузочной способностью, что делает его подходящим для:

• Промышленных приводов
• Инверторов
• Источников бесперебойного питания (ИБП)
• Электромобильных и возобновляемых энергосистем

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|-------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 450 А | | Ток коллектора (I_C) при 80°C | 300 А | | Импульсный ток (I_CM) | 900 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) | | Энергия переключения (E_on + E_off) | 50 мДж (тип.) | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.08 °C/Вт | | Максимальная температура перехода (T_j) | 150 °C | | Корпус | модуль (изолированный) | | Вес | ~150 г (зависит от производителя) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (зависит от производителя):

• Infineon: FF450R16ME4
• Mitsubishi: CM450DY-24S
• Fuji Electric: 2MBI450U4A-170
• Semikron: SKM450GB176D

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

• SD353N16S20 (меньший ток)
• SD453N12S20 (1200 В)
• SD453N20S20 (2000 В)

Примечания

1. Замена аналогами требует проверки по:
   • Напряжению и току
   • Распиновке и тепловым характеристикам
2. Рекомендуется использовать оригинальные модули в критичных приложениях.

Если нужна помощь с подбором аналога для конкретного применения – уточните параметры системы!