IGBT SAP16N0

Описание и технические характеристики IGBT SAP16N0

SAP16N0 – это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-247. Он предназначен для применения в импульсных источниках питания, инверторах, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 16 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 32 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 160 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 1,8 В (при I_C = 16 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Температурный диапазон (T_j) | -55°C до +150°C |
| Тип корпуса | TO-247 |

Альтернативные и совместимые модели (парт-номера):

• IRG4PC40UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N60A4D (STMicroelectronics)
• IXGH16N60A (IXYS)
• APT60GF60B2G (Microsemi)

Применение:

• Инверторы
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Электроприводы двигателей
• Сварочное оборудование
• Устройства плавного пуска

Если вам нужны аналоги с улучшенными параметрами (например, более высоким током или напряжением), уточните требования – подберу замену.