IGBT S2E12

Описание IGBT S2E12

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) S2E12 – это высоковольтный силовой транзистор, предназначенный для использования в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Отличается высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------| | Тип устройства | IGBT (N-канальный) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 12 А (при 25°C) | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 24 А | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Мощность рассеивания (P_tot) | до 75 Вт | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (возможны варианты) | | Время включения (t_on) | ~35 нс | | Время выключения (t_off) | ~110 нс | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2,0 В (при I_C = 12 А) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• STMicroelectronics – STGW40H120DF2
• Infineon – IKW40N120H3
• Fuji Electric – 2MBI100U2A-120
• Mitsubishi – CM100DY-12H

Совместимые модели (зависит от схемы применения):

• Для инверторов: S2E12 может заменяться на S2E10 (10 А) или S2E15 (15 А) с пересчётом параметров.
• В сварочных аппаратах: часто используется вместе с аналогичными IGBT (например, H20R1202, FGA25N120ANTD).
• В блоках питания: частично совместим с IRG4PH50UD (если допустимы меньшие токи).

Примечания

• Перед заменой проверяйте распиновку и параметры, так как корпусные исполнения могут отличаться.
• Для высокочастотных применений лучше использовать более быстрые IGBT (например, с временем переключения <50 нс).

Если вам нужны дополнительные данные (графики, схемы включения), уточните область применения.