IGBT RM30TPM-M

IGBT RM30TPM-M: Описание и технические характеристики

Общее описание

IGBT RM30TPM-M – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как:

• Промышленные инверторы
• Импульсные источники питания
• Системы управления двигателями
• Сварочное оборудование
• Устройства плавного пуска

Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери и хорошую тепловую стабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип устройства | IGBT-модуль (NPT-технология) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 30 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 60 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 5,0 В |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Корпус | TO-247 (или другой, если уточнён) |
| Температура хранения | -40°C ... +150°C |
| Температура эксплуатации | -40°C ... +125°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги и замены:

• Infineon: IKW30N60T, IKW30N60H3
• STMicroelectronics: STGW30NC60WD
• Fairchild/ON Semi: FGH30N60SMD
• Toshiba: GT30J321

Совместимые модели (по параметрам):

• IRGB30B60PDPBF (International Rectifier)
• HGTG30N60A4D (Fairchild)
• NGTB30N60S3G (ON Semiconductor)

Примечание

Перед заменой рекомендуется уточнить распиновку и рабочие характеристики, так как в разных производителей могут быть отличия в управлении затвором и тепловых параметрах.

Если вам нужна более точная информация по конкретному производителю, укажите его, и я уточню данные.