IGBT RM250HB-10F

Описание IGBT RM250HB-10F

IGBT RM250HB-10F – это мощный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в инверторах, импульсных источниках питания, промышленных приводах и системах управления электродвигателями. Модуль выполнен в корпусе, обеспечивающем эффективное охлаждение и надежное подключение.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT (с обратным диодом) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В |
| Номинальный ток (I_C) | 250 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 500 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 1250 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при 250 А) |
| Время включения (t_on) | 120 нс |
| Время выключения (t_off) | 500 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ~ +150°C |
| Корпус | Изолированный, с монтажными отверстиями |
| Схема подключения | Двухканальный (Half-Bridge) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги:

• RM250HB-10F (оригинал)
• CM250HB-10F (аналог от Mitsubishi)
• FF250R10KE3 (аналог от Infineon)

Совместимые модели (по характеристикам):

• SKM250GB10F (Semikron)
• MG250Q1US41 (Toshiba)
• BSM250GB120DN2 (ABB)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Электроприводы и сервосистемы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужна более точная информация по замене или datasheet, уточните производителя модуля.