IGBT RM10TA-24

Описание IGBT RM10TA-24

IGBT RM10TA-24 – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых приложений. Модуль используется в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Корпус модуля обеспечивает хорошие тепловые характеристики и электрическую изоляцию между элементами.

Технические характеристики IGBT RM10TA-24

| Параметр | Значение | |----------------------------|-------------| | Тип транзистора | IGBT + диод | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 10 А | | Импульсный ток (I_CM) | 20 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 100 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 5–6 В | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~300 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~1,25 °C/Вт | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный изолированный) |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG10N120BN (Microsemi)
• IXGH10N120 (IXYS)

Совместимые модули (схожие параметры):

• RM10TA-12 (600 В, 10 А)
• RM10TA-32 (1600 В, 10 А)
• RM15TA-24 (1200 В, 15 А)
• RM20TA-24 (1200 В, 20 А)

Применение

• Силовые инверторы
• Преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet производителя, так как параметры могут незначительно отличаться.