IGBT RM100HA12F

Описание IGBT RM100HA12F

IGBT RM100HA12F – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль сочетает в себе высокую эффективность, надежность и устойчивость к перегрузкам, что делает его пригодным для использования в:

• Преобразователях частоты
• Инверторах
• Промышленных приводах
• Системах управления электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|---------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 100 А | | Ток коллектора (I_C) при 80°C | 70 А | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 200 А | | Мощность рассеяния (P_tot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при 50 А) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 400 нс | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Корпус | модульный (например, 6- или 7-выводной) |

Совместимые модели и парт-номер

IGBT RM100HA12F может иметь эквиваленты и аналоги от других производителей, а также входить в состав модулей с аналогичными параметрами:

Парт-номера и аналоги:

• Infineon: FF100R12KT4
• Mitsubishi: CM100HA-12F
• Fuji Electric: 2MBI100HA-120
• SEMIKRON: SKM100GB12T4
• IXYS: IXGH100N120B3

Совместимые модели в сборках:

• Двойной модуль IGBT: RM200HA12F (аналогичный, но с током 200 А)
• Полумостовые модули: FF75R12KT3 (75 А, 1200 В)
• Трехфазные инверторы: FS150R12KE3 (150 А, 1200 В)

Заключение

IGBT RM100HA12F подходит для мощных преобразовательных устройств и может быть заменен аналогами от Infineon, Mitsubishi, SEMIKRON и других производителей. При выборе замены важно учитывать схему включения, тепловые характеристики и нагрузочную способность.

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять даташиты и конфигурацию выводов.