IGBT RM100HA12F

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT RM100HA12F
Описание IGBT RM100HA12F
IGBT RM100HA12F – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль сочетает в себе высокую эффективность, надежность и устойчивость к перегрузкам, что делает его пригодным для использования в:
- Преобразователях частоты
- Инверторах
- Промышленных приводах
- Системах управления электродвигателями
- Источниках бесперебойного питания (ИБП)
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение | |-----------------------------|---------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC) при 25°C | 100 А | | Ток коллектора (IC) при 80°C | 70 А | | Максимальный импульсный ток (ICM) | 200 А | | Мощность рассеяния (Ptot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.5 В (при 50 А) | | Время включения (ton) | 80 нс | | Время выключения (toff) | 400 нс | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Корпус | модульный (например, 6- или 7-выводной) |
Совместимые модели и парт-номер
IGBT RM100HA12F может иметь эквиваленты и аналоги от других производителей, а также входить в состав модулей с аналогичными параметрами:
Парт-номера и аналоги:
- Infineon: FF100R12KT4
- Mitsubishi: CM100HA-12F
- Fuji Electric: 2MBI100HA-120
- SEMIKRON: SKM100GB12T4
- IXYS: IXGH100N120B3
Совместимые модели в сборках:
- Двойной модуль IGBT: RM200HA12F (аналогичный, но с током 200 А)
- Полумостовые модули: FF75R12KT3 (75 А, 1200 В)
- Трехфазные инверторы: FS150R12KE3 (150 А, 1200 В)
Заключение
IGBT RM100HA12F подходит для мощных преобразовательных устройств и может быть заменен аналогами от Infineon, Mitsubishi, SEMIKRON и других производителей. При выборе замены важно учитывать схему включения, тепловые характеристики и нагрузочную способность.
Если требуется точная замена, рекомендуется сверять даташиты и конфигурацию выводов.