IGBT RJH30E3

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT RJH30E3
Описание IGBT RJH30E3
RJH30E3 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) от Renesas Electronics (ранее Hitachi), предназначенный для высокоэффективных силовых применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других устройствах с высокими требованиями к надежности и КПД.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение | |------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В | | Ток коллектора (IC) при 25°C | 30 А | | Ток коллектора (IC) при 100°C | 20 А | | Максимальный импульсный ток (ICM) | 60 А | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1,8 В (типовое) | | Мощность рассеивания (PD) | 100 Вт | | Время включения (ton) | 60 нс | | Время выключения (toff) | 220 нс | | Корпус | TO-3P (TO-247) |
Совместимые парт-номера и аналоги
Оригинальные аналоги Renesas/Hitachi:
- RJH30E2 (500 В, 30 А)
- RJH60E3 (600 В, 60 А)
- RJH30F3 (более новое поколение, аналогичные параметры)
Аналоги других производителей:
- IRG4PC40U (International Rectifier)
- FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
- H30R1203 (Infineon)
- STGW30NC60WD (STMicroelectronics)
Применение
- Инверторы и частотные преобразователи
- Сварочное оборудование
- Импульсные блоки питания (SMPS)
- Системы управления электродвигателями
Примечание
Перед заменой на аналог рекомендуется уточнять распиновку и характеристики, так как параметры могут незначительно отличаться. Для критичных применений лучше использовать оригинальный RJH30E3.
Если нужны дополнительные данные (графики, даташит), уточните!