IGBT RJH30E3

Описание IGBT RJH30E3

RJH30E3 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) от Renesas Electronics (ранее Hitachi), предназначенный для высокоэффективных силовых применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других устройствах с высокими требованиями к надежности и КПД.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 30 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 20 А | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 60 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (типовое) | | Мощность рассеивания (P_D) | 100 Вт | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 220 нс | | Корпус | TO-3P (TO-247) |

Совместимые парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги Renesas/Hitachi:

• RJH30E2 (500 В, 30 А)
• RJH60E3 (600 В, 60 А)
• RJH30F3 (более новое поколение, аналогичные параметры)

Аналоги других производителей:

• IRG4PC40U (International Rectifier)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• H30R1203 (Infineon)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Системы управления электродвигателями

Примечание

Перед заменой на аналог рекомендуется уточнять распиновку и характеристики, так как параметры могут незначительно отличаться. Для критичных применений лучше использовать оригинальный RJH30E3.

Если нужны дополнительные данные (графики, даташит), уточните!