IGBT QM75E3Y-H

Описание IGBT QM75E3Y-H

IGBT QM75E3Y-H — это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в мощных импульсных преобразователях, инверторах, сварочном оборудовании и промышленных системах управления электроприводами. Модуль обладает высокой устойчивостью к перегрузкам и эффективным теплоотведением благодаря конструктивным особенностям корпуса.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 75 А (при 25°C)
• Ток коллектора импульсный (I_CM): до 150 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 300 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (при I_C = 75 А)
• Время переключения (t_on / t_off): 80 нс / 200 нс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C

Термические параметры:

• Термосопротивление переход-корпус (R_th(j-c)): 0,25 °C/Вт
• Термосопротивление корпус-радиатор (R_th(c-h)): 0,15 °C/Вт

Защита и особенности:

• Встроенный обратный диод (FRD)
• Высокая устойчивость к короткому замыканию
• Низкие потери при переключении

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и эквиваленты:

• IXYS: IXGH75N120B3
• Infineon: IKW75N120T2
• Fuji Electric: 2MBI75S-120
• Mitsubishi: CM75DY-24H

Совместимые модули (в зависимости от схемы):

• QM75E2Y-H (аналог с меньшим напряжением)
• QM100E3Y-H (более мощная версия)
• SKM75GB12T4 (Semikron)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Если вам нужна точная замена, рекомендуется проверять datasheet конкретного производителя и консультироваться с поставщиками.