IGBT QM75E2Y-2H

Описание IGBT модуля QM75E2Y-2H

Производитель: Mitsubishi Electric (возможны другие варианты, уточните производителя)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (FWD)
Назначение: Предназначен для использования в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, системах управления двигателями и источниках бесперебойного питания (ИБП).

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Максимальный ток коллектора (I_C при 25°C): 75 А
• Максимальный импульсный ток (I_CP): 150 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 200 Вт
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0.63 °C/Вт

Параметры IGBT:

• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2.5 В (тип. при 75 А)
• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс

Параметры диода обратного хода (FWD):

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 75 А
• Прямое падение напряжения (V_F): 1.8 В

Температурные характеристики:

• Рабочая температура (T_j): от -40°C до +150°C
• Температура хранения: от -40°C до +125°C

Механические характеристики:

• Корпус: модульный, с изолированным основанием
• Монтаж: винтовой (для радиатора)
• Вес: ~100 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi: QM75DY-2H, QM75EY-2H (возможны модификации)
• Infineon: FF75R12RT4
• Fuji Electric: 2MBI75U2H-120
• SEMIKRON: SKM75GB12T4

Совместимые модели (по характеристикам):

• IR (Infineon): IRG4PH50UD
• Toshiba: MG75Q2YS40
• STMicroelectronics: STGW75H120DF2

Примечания:

1. Перед заменой уточните распиновку и характеристики, так как возможны отличия в управляющих цепях.
2. Рекомендуется проверять datasheet производителя для точных параметров.
3. Для охлаждения необходим радиатор с эффективным отводом тепла.

Если у вас есть дополнительные данные о производителе или схеме применения, уточните их для более точного подбора аналогов.