IGBT QM75DYH

Описание IGBT QM75DYH

IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) QM75DYH представляет собой мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для коммутации высоких токов и напряжений в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

• Тип: IGBT + диод (в одном корпусе)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 75 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 150 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~1.8 В (при номинальном токе)
• Время включения (t_on): ~50 нс
• Время выключения (t_off): ~200 нс
• Максимальная рабочая температура: 150°C
• Корпус: TO-247 (3 вывода)

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги:

• QM75DYH (оригинал)
• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600V, 55A)
• FGA75N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor, 600V, 75A)
• HGTG75N60B3 (Microsemi, 600V, 75A)

Совместимые модели (аналоги в других корпусах или близкие по параметрам):

• STGW75HF60WD (STMicroelectronics, 600V, 75A, TO-247)
• IXGH75N60B3D1 (IXYS, 600V, 75A)
• APT75GR60J (Microchip, 600V, 75A)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Электроприводы и системы управления двигателями

Если вам нужна более точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров в конкретной схеме.