IGBT QM75DY2HB

Описание IGBT QM75DY-2HB

QM75DY-2HB – это изолированный модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль имеет встроенный диод обратного хода (FRD) и обеспечивает высокую переключающую способность при низких потерях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Тип модуля | IGBT + FRD (Fast Recovery Diode) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C), 150 А (импульсный) |
| Ток диода (I_F) | 75 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | ~300 Вт (зависит от условий охлаждения) |
| Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В (рекомендуемое: +15 В / -5...-15 В) |
| Время включения (t_on) | ~30 нс |
| Время выключения (t_off) | ~100 нс |
| Корпус | Изолированный (с гальванической развязкой) |
| Температура работы | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги:

• QM75DY-2H (версия с аналогичными характеристиками)
• QM75DY-2L (вариант с другим корпусом)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF75R12RT4
• Mitsubishi: CM75DY-24H
• Fuji Electric: 2MBI75L-120
• SEMIKRON: SKM75GB12T4

Применение

• Частотные преобразователи
• Инверторы и ИБП
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями

Если требуется точный аналог, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.