IGBT QM75DY-2H

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM75DY-2H
IGBT QM75DY-2H: Описание и технические характеристики
Описание:
IGBT-модуль QM75DY-2H – это двухканальный быстродействующий силовой транзистор с обратным диодом, предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, преобразователях частоты и импульсных источниках питания. Применяется в промышленной автоматике, электроприводах, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.
Основные технические характеристики:
| Параметр | Значение | |----------|---------| | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) | | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В | | Номинальный ток коллектора (IC при 25°C) | 75 А | | Импульсный ток (ICP) | 150 А | | Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot) | 300 Вт | | Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | 1.8 В (тип.) | | Время включения (ton) | 30 нс | | Время выключения (toff) | 120 нс | | Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Сопротивление "вкл" (RDS(on)) | 0.025 Ом (тип.) |
Парт-номера и совместимые модели:
-
Аналоги от других производителей:
- Infineon: IKW75N60T
- Fairchild (ON Semiconductor): FGH75N60SMD
- STMicroelectronics: STGW75H60DF
- Mitsubishi: CM75DY-24H
-
Рекомендуемые замены:
- QM100DY-2H (100 А, 600 В)
- QM50DY-2H (50 А, 600 В)
Применение:
- Преобразователи частоты
- Индукционные нагреватели
- Сварочные инверторы
- Управление электродвигателями
Модуль QM75DY-2H обеспечивает высокую эффективность и надежность в силовых электронных схемах. При замене рекомендуется проверять соответствие электрических и тепловых характеристик.
Если нужны дополнительные параметры (графики, схемы подключения), уточните запрос!