IGBT QM75DY-2H

IGBT QM75DY-2H: Описание и технические характеристики

Описание:
IGBT-модуль QM75DY-2H – это двухканальный быстродействующий силовой транзистор с обратным диодом, предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, преобразователях частоты и импульсных источниках питания. Применяется в промышленной автоматике, электроприводах, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------|---------| | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) | | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C) | 75 А | | Импульсный ток (I_CP) | 150 А | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 30 нс | | Время выключения (t_off) | 120 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Сопротивление "вкл" (R_DS(on)) | 0.025 Ом (тип.) |

Парт-номера и совместимые модели:

• Аналоги от других производителей:

  • Infineon: IKW75N60T
  • Fairchild (ON Semiconductor): FGH75N60SMD
  • STMicroelectronics: STGW75H60DF
  • Mitsubishi: CM75DY-24H

• Рекомендуемые замены:

  • QM100DY-2H (100 А, 600 В)
  • QM50DY-2H (50 А, 600 В)

Применение:

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями

Модуль QM75DY-2H обеспечивает высокую эффективность и надежность в силовых электронных схемах. При замене рекомендуется проверять соответствие электрических и тепловых характеристик.

Если нужны дополнительные параметры (графики, схемы подключения), уточните запрос!