IGBT QM75DY-24B

Описание IGBT модуля QM75DY-24B

QM75DY-24B – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе 24-го поколения, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль содержит два IGBT с антипараллельными диодами (полумостовая конфигурация) и широко используется в частотных преобразователях, промышленных инверторах, системах управления электродвигателями и источниках питания.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C) | 75 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 150 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 80 нс |
| Время выключения (t_off) | 400 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт |
| Корпус | Стандартный модуль (полумост) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Fuji Electric: 2MBI75L-120
• Infineon: FF75R12RT4
• Mitsubishi: CM75DY-24H
• SEMIKRON: SKM75GB12T4
• IXYS: MIXA75PE1200

Парт-номера производителя (Mitsubishi Electric):

• QM75DY-24H (более новая версия)
• QM75DY-24B (оригинальная модель)

Применение

• Частотные преобразователи
• Промышленные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль QM75DY-24B обеспечивает высокую надежность и эффективность в силовой электронике благодаря низким коммутационным потерям и хорошему тепловыделению.

Если нужна дополнительная информация по заменам или схемам подключения, уточните!