IGBT QM75DY24B

Описание IGBT QM75DY24B

IGBT QM75DY24B – это мощный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах. Модуль выполнен по технологии NPT (Non-Punch Through), что обеспечивает высокую надежность и устойчивость к перегрузкам.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (полумост) | | Макс. напряжение (Vces) | 1200 В | | Ном. ток коллектора (Ic)| 75 А (при Tc=25°C) | | Импульсный ток (Icm) | 150 А | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | 300 Вт (при Tc=25°C) | | Напряжение насыщения (Vce(sat)) | 2.4 В (тип.) | | Время включения (ton) | 70 нс | | Время выключения (toff) | 350 нс | | Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C | | Корпус | 24-выводной, изолированный | | Вес | ~80 г |

Совместимые модели и парт-номера

Аналоги и замены:

• FS75R12KE3 (Infineon)
• CM75DY-24H (Mitsubishi)
• SKM75GB12T4 (Semikron)
• MG75Q1BS41 (Toshiba)

Парт-номера производителей:

• Powerex (Mitsubishi): QM75DY-24B, QM75DY24B
• Производители Китай: часто маркируются как QM75DY24H (с улучшенными параметрами).

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Промышленные приводы
• ИБП и системы энергоснабжения

Модуль имеет встроенные диоды обратного хода (FRD), что упрощает проектирование схем.

Если нужна дополнительная информация (например, datasheet или аналоги), уточните!